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根據(jù)穆巴達拉9月公告的2016年上半年度財務(wù)報表，其半導(dǎo)體技術(shù)事業(yè)分部（主要是Global Foundries）凈虧損達13.5億美元，與2015年上半年相比，凈虧損大幅增長67%，超過2015年，整年虧損13億美元。

　　Global Foundries創(chuàng)立于2009年，從AMD拆分而來，由阿聯(lián)酋阿布達比先進技術(shù)投資公司（ATIC），即現(xiàn)在的穆巴達拉發(fā)展公司（Mubadala）聯(lián)合投資成立。從創(chuàng)建至今，Global Foundries的凈利潤率始終是負數(shù)，2016年上半年更是跌入谷底，達到-54%。

　　正如芯謀研究顧文軍分析，巨大的研發(fā)投入、昂貴的設(shè)備和折舊費用對Global Foundries來說，像滾雪球一般，越來越大。在超過200億美元后，不投入的話，前功盡棄打水漂；再投入仍是盈利無期。Global Foundries實則已陷入一個惡性循環(huán)。

　　認識全球第二大晶圓代工廠GlobalFoundries

　　作為全球第二大晶圓代工廠，截止至2016年6月30日，Global Foundries資產(chǎn)總額203億美元，負債總額43億美元，權(quán)益負債比約27%，不由讓人對Global Foundries的前景產(chǎn)生擔(dān)憂。在技術(shù)創(chuàng)新上，Global Foundries連年來也接連受挫。在搞砸28nm后，就算是引以為豪的14nm工藝，也并非是自主研發(fā)而是靠三星授權(quán)，不免讓業(yè)內(nèi)對其自主研發(fā)能力產(chǎn)生詬病。日前，Global Foundries突然宣布跳級研發(fā)7nm工藝，與其它競爭對手穩(wěn)扎穩(wěn)打相比，“畫大餅”式的冒險依然前途未卜。

　　GlobalFoundries原來是AMD的晶圓部門，在2008年的時候，AMD當(dāng)時的CEO魯毅智（Ruiz）賣掉了AMD自己的晶圓廠，買主是阿布扎比的ATIC。

　　這筆涉及84億美元的交易在成交以后，AMD就將現(xiàn)有的所有芯片制造設(shè)備都將移交給新公司，包括在德國德累斯頓的兩座晶圓廠和相關(guān)資產(chǎn)、知識產(chǎn)權(quán)，以及正在規(guī)劃中的紐約州晶圓廠，總價值約24億美元。同時，AMD現(xiàn)有的大約12億美元債務(wù)也將由新公司承擔(dān)。新公司成立初期主要承擔(dān)AMD處理器和圖形芯片的制造，之后會承接其他半導(dǎo)體企業(yè)的外包訂單。

　　2009年3月2日，一個全新的晶圓廠GlobalFoundries就成立了。

　　2010年1月13日，GLOBALFOUNDRIES收購了新加坡特許半導(dǎo)體。

　　2013年資本支出約45億美元，28 納米制程導(dǎo)入客戶數(shù)已達12家，包括超微及中國大陸手機芯片廠Rockchip等。

　　2013年各制程的營收比重為，45納米以下占56%、55/65納米制程占19%、90納米及0.18微米占19%、0.18微米以下占6%。

　　至2014上半年，8吋晶圓廠訂單滿載，公司看好產(chǎn)業(yè)景氣，決議將旗下新加坡六廠從8吋廠升級為12吋晶圓廠，其設(shè)備來源為2013年買下DRAM廠茂德中科12吋機臺設(shè)備，預(yù)計有6成產(chǎn)能為12吋、40納米產(chǎn)能為8吋，廠房12吋與8吋廠年產(chǎn)能分別為100萬片及30萬片，公司規(guī)劃制程技術(shù)由0.11~0.13微米進階到40納米。其中，12吋將應(yīng)用在LCD驅(qū)動IC、電源管理IC等市場，近兩年資本支出將達10億美元。

　　Global Foundries只能不斷求變

　　在過去的幾年，Global Foundries雖然位居全球晶圓廠全幾名，但是在制程方面，他其實是逐漸落后于競爭對手，尤其是和第一名臺積電的差距越拉越大，于是在市場上的競爭力優(yōu)勢越發(fā)降低，于是Global Foundries只能求變。

　　2014年10月20日，公司收購IBM全球商業(yè)化半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其知識產(chǎn)權(quán)、技術(shù)人員及微電子業(yè)務(wù)的所有技術(shù)。另外公司也將在未來10年內(nèi)提供22納米、14納米及10納米之技術(shù)予IBM，主要為IBM供應(yīng)Power處理器。

　　對于Global Foundries來說，拿下IBM應(yīng)該不在于其工廠，更重要的是IBM所積累的專利和技術(shù)，這有利于他們推進其制程進度，緊跟競爭者。

　　以目前立體鰭式電晶體（3D-FinFET）研發(fā)為例，即可窺探出IBM的研發(fā)能量。為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發(fā)展出立體式的電晶體結(jié)構(gòu)，F(xiàn)inFET（英特爾（Intel）稱之為Tri-Gate）。目前全球在FinFET設(shè)計與制程技術(shù)開發(fā)的競爭中，英特爾仍為領(lǐng)導(dǎo)廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

　　IBM與英特爾制程技術(shù)上最大的差異，則是使用絕緣層覆硅（Silicon On Insulator， SOI）基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板（Bulk Substrate）成本高出許多，但SOI可大幅減少制程步驟，以及降低操作電壓達到低功耗芯片的制作效益。由此可知，IBM所具有的研發(fā)能力不可小覷。

　　在2015年中，GlobalFoundries已經(jīng)開始使用14nm FinFET（14LPE）工藝為它們的客戶量產(chǎn)芯片。Global Foundries表示它們的14nm半導(dǎo)體產(chǎn)能可以比肩三星（Samsung Foundry）。GlobalFoundries的發(fā)言人Jason Gorss表示，他們的14nm爬坡量產(chǎn)已經(jīng)步入正軌，產(chǎn)能可以等同于盟友三星。Global Foundries沒有透露他們每個月能使用14nm LPE工藝生產(chǎn)出多少塊晶圓，但該公司表示，用于14nmFinFET工藝商業(yè)生產(chǎn)的部分重要設(shè)備已經(jīng)安裝好。

　　也就是在2015年，Global Foundries超越聯(lián)電，爬上了晶圓代工廠二哥的位置。

　　但對于Global Foundries來說，這是不夠的，因為據(jù)媒體披露，自從2008年從AMD分拆出來之后，它一直表現(xiàn)不佳，2014年虧損更是高達15億美元，2013年也虧了9億美金。因此GlobalFoundries要多種方式求變。

　　不走尋常路的GlobalFoundries 強攻FD-SOI

　　與三星聯(lián)手搞定14nm FinFET并獲得AMDCPU/GPU全面采納，又與AMD簽訂五年晶圓供應(yīng)合約共同開發(fā)7nm工藝，習(xí)慣性炸雷的GlobalFoundries最近有點春風(fēng)得意的感覺，接下來又要進軍12nm工藝了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）。

　　大家都知道，目前半導(dǎo)體工藝已經(jīng)全面從2D晶體管轉(zhuǎn)向3D晶體管，Intel、臺積電、三星以及GF自己都在做。

　　另一方面，AMD雖然工藝上一直落后，但有個獨門秘籍那就是SOI（絕緣層上硅），當(dāng)年與藍色巨人IBM合作搞的，可以將工藝提高半代水平，其優(yōu)秀表現(xiàn)也是有目共睹的。

　　不過，AMD進入32nm之后就拋棄了SOI，不過獨立后的GF一直保留著SOI技術(shù)，加上之前收購了IBM的相關(guān)技術(shù)，后者最新的Power8就是采用22nmSOI工藝制造的。

　　GF此前已經(jīng)全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI（22FDX），號稱性能功耗指標(biāo)堪比22nm FinFET，但是制造成本與28nmm相當(dāng)，適用于物聯(lián)網(wǎng)、移動芯片、RF射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片等，已經(jīng)拿下50多家客戶，2017年第一季度量產(chǎn)。

　　現(xiàn)在，GF又宣布了全新的12nmFD-SOI（12FDX）工藝，計劃2019年投入量產(chǎn)。

　　GF表示，12FDX工藝的性能等同于10nmFinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比現(xiàn)有FinFET工藝性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nmFinFET減少40％！

　　它還將提供業(yè)界最寬泛的動態(tài)電壓，通過軟件控制晶體管大大提升設(shè)計彈性，在高負載時可提供最高性能，靜態(tài)時則具備更高能效。

　　該工藝也是針對低功耗平臺的，包括移動計算、5G互連、人工智能、自動駕駛等等，中國中科院上海微電子研究所、NXP半導(dǎo)體、VeriSilicon半導(dǎo)體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

　　GF正在德國德累斯頓Fab 1晶圓廠推進12FDX工藝的研發(fā)，預(yù)計2019年上半年完成首批流片，并在當(dāng)年投入量產(chǎn)。

　　簡單來說，GF現(xiàn)在是兩條腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其后者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接進軍7nmFinFET。

　　GlobalFoundries大環(huán)境中的競爭與轉(zhuǎn)機

　　近幾年，中國內(nèi)地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，設(shè)計公司更是異軍突起，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位也愈發(fā)重要。再加上國務(wù)院頒布《產(chǎn)業(yè)推進綱要》，宣布成立大基金，為集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了積極的大環(huán)境。為了避免中國本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成氣候之后被排除在中國內(nèi)地市場之外，半導(dǎo)體大廠近來積極前往中國內(nèi)地設(shè)廠布局，希望來瓜分這塊大蛋糕。

　　這對于困境重重的Global Foundries來說更像一根“救命稻草”，在全國洽談幾個城市被拒絕后，在今年五月份，重慶市與全球著名集成電路企業(yè)Global Foundries簽署諒解備忘錄，雙方將在重慶共同組建合資公司，生產(chǎn)300毫米芯片。

　　按照計劃，這個項目包括運用在Global Foundries新加坡工廠的成熟工藝技術(shù)，將一個現(xiàn)有半導(dǎo)體工廠升級為12英寸晶圓制造廠。這個合資企業(yè)將直接采購現(xiàn)代化先進設(shè)備節(jié)省產(chǎn)品上市時間，預(yù)計將于2017年投產(chǎn)。

　　據(jù)悉，重慶市政府將提供土地與現(xiàn)有廠房，Global Foundries將負責(zé)技術(shù)的升級，現(xiàn)有廠房將從8 吋晶圓廠，提升為12 寸晶圓廠，根據(jù)消息，該現(xiàn)有廠房為臺灣DRAM 廠茂德出售的舊廠房，Global Foundries指稱，屆時將采新加坡廠的生產(chǎn)驗證技術(shù)。官方預(yù)計，該廠房于2017 年即可重新啟用、量產(chǎn)，但GlobalFoundries未透露新廠采用的技術(shù)節(jié)點、初期產(chǎn)能等資訊。

　　雖然GF在中國市場的進步比較緩慢，但最起碼也走出了重要的一步。不過，對于格羅方德在重慶渝德設(shè)廠的最新消息，《科技新報》取得獨家消息來源表示，該項談判已經(jīng)協(xié)商破局，這也對格羅方德的未來加深更多不確定性。

　　總結(jié)

　　最近GlobalFoundries似乎一直不盡順暢，不過，根據(jù)國際半導(dǎo)體協(xié)會（SEMI）6 月底發(fā)布的近兩年全球晶圓廠預(yù)測報告，2016 至 2017 年間，綜合 8 寸、12 寸廠來看，確定新建的晶圓廠就有 19 座，其中中國大陸就占了10 座。隨著行業(yè)在國內(nèi)集中度越來越高，全球大廠面臨的風(fēng)險和挑戰(zhàn)也愈發(fā)加大。

　　這幾年無論在資金和技術(shù)方面，Global Foundries都在一直加大投入，F(xiàn)D-SOI方面也是進展喜人，早前更是宣布跳過10nm，直接進攻7nm。最起碼在中國的投資和合作卻也堅定了Global Foundries重新崛起的決心。剩下的交給時間來驗證！